特許
J-GLOBAL ID：200903009169867910
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-328966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-162114
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。【解決手段】反応室3にはウエハ5が設置された石英ボート4が配置されている。ガス導入孔8とガス排気孔9が石英チューブ2の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室3内のガスの流れは、図中矢印7で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Siウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガスを、反応室に載置された被処理ウエハ上を経由させて、上記被処理ウエハに薄膜を形成する薄膜形成装置において、上記反応室へガスを導入する複数のガス導入孔と、この各ガス導入孔に対向して設けられ、上記ガスを上記反応室から排気する複数のガス排気孔とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030EA08
, 4K030GA06
, 4K030LA11
, 5F045AB06
, 5F045DP19
, 5F045EE19
, 5F045EE20
, 5F045EF04
, 5F045EF08
, 5F045EF13
