特許

J-GLOBAL ID：200903009182700650

半導体レーザ装置

発明者： 板谷 和彦 ,  菅原 秀人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244722
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097574
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 活性層の光許容レベルに起因するサージ耐量を十分に高くすることができ、かつ特性にも十分優れた半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 半導体レーザとダイオードを同一基板上にモノリシックに形成し、これらを並列接続した半導体レーザ装置であって、半導体レーザをInGaP活性層24をInGaAlPクラッド層23,25で挟んだダブルヘテロ接合で形成し、ダイオードをn-InGaAlPクラッド層23とp-InAlP層33のpn接合で形成し、ダイオードの立上がり電圧を半導体レーザの立上がり電圧よりも大きくし、かつダイオードのオン抵抗を半導体レーザのオン抵抗よりも小さくしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザとpn接合を有するダイオードとを並列に接続して構成され、ダイオードの立上がり電圧が半導体レーザの立上がり電圧よりも大きく、かつダイオードのオン抵抗が半導体レーザのオン抵抗よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。