特許
J-GLOBAL ID：200903009183338989
薄膜の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279935
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135183
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 下地を損傷することなく、加工対象の薄膜を的確に加工することが可能な薄膜の加工技術を提供する。【構成】 加工対象の絶縁膜5と下地の配線パターン3および半導体基板1との間にストッパ膜4を形成し、マスク6を用いた絶縁膜5のエッチングによって深さの異なる貫通孔7および貫通孔8を穿設するに際して、エッチングの進行過程で、深さの浅い貫通孔7の底部に先に露出する配線パターン3がストッパ膜4によって保護されるようにして、配線パターン3や半導体基板1等の下地の損傷を懸念することなく、深さの異なる貫通孔7および貫通孔8を形成することを可能にした薄膜の加工方法である。
請求項（抜粋）：
下地の上に形成された第1の薄膜の加工領域を第1の加工手段によって選択的に除去することにより前記下地を露出させる薄膜の加工方法であって、前記下地と前記第1の薄膜の間に、当該第1の薄膜よりも前記第1の加工手段に対する耐性が大きい第2の薄膜を形成する第1の段階と、前記加工領域の前記第1の薄膜を前記第1の加工手段によって選択的に除去することにより、前記第2の薄膜を露出させる第2の段階と、露出した前記第2の薄膜を選択的に除去して前記下地を露出させる第3の段階とからなることを特徴とする薄膜の加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28
, H01L 21/3065
