特許
J-GLOBAL ID：200903009183371110
半導体センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-079517
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260821
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 ピエゾ抵抗を形成したシリコン基板と、このシリコン基板の上,下側に陽極接合で固定したガラスからなる上,下ストッパとからなる半導体センサにおいて、シリコン基板と上,下ストッパとの接合を良好に行う。【構成】 半導体センサは、ピエゾ抵抗6を形成して絶縁層13,14を上面に形成したシリコン基板1と、このシリコン基板1の上,下側に陽極接合で固定したガラスからなる上,下ストッパ7,8とからなる。表面に安定な酸化膜を生じる金属膜16を上ストッパ7と当接する絶縁層13,14の上面に形成した。
請求項（抜粋）：
ピエゾ抵抗を形成して絶縁層を上面に形成したシリコン基板と、このシリコン基板の上,下側に陽極接合で固定したガラスからなる上,下ストッパとからなり、前記ピエゾ抵抗の抵抗値変化により外力を検出する半導体センサにおいて、表面に安定な酸化膜を生じる金属膜を前記上ストッパと当接する前記絶縁層の上面に形成したことを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
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