特許

J-GLOBAL ID：200903009190473840

薄膜磁気ヘッド

発明者： 斎藤 正路
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298314
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】従来では狭ギャップ化に伴い、上下シールド層の磁区変化の影響を磁気検出素子のフリー磁性層が受けやすくなり、バルクハウゼンノイズの発生など再生特性に悪影響を与えた。【解決手段】 シールド層25、35を積層フェリ構造にし、第1磁性層22、34の磁気検出素子対向面と逆面側に反強磁性層21、36を形成する。これによって、前記シールド層25、35の磁化を効果的に単磁区化でき、前記シールド層25、35の磁気的な可逆性を良好にすることができる。従って狭ギャップ化が促進されても、バルクハウゼンノイズの発生を適切に抑制できるなど再生特性の向上を効果的に図ることが可能になっている。

請求項（抜粋）：

磁気検出素子の上下にギャップ層を介してシールド層を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方の前記シールド層は、2層以上の磁性層と、前記磁性層間に介在する非磁性の中間層とで構成される積層フェリ構造であり、最も前記磁気検出素子から離れた磁性層の磁気検出素子対向面と逆面側には反強磁性層が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/31 K ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (16件)：

2G017AA01 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD65 ,  5D033AA01 ,  5D033BB03 ,  5D033BB43 ,  5D034AA02 ,  5D034BA03 ,  5D034CA04 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049DB12