特許
J-GLOBAL ID：200903009192124193
高温度化学気相成長チャンバー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-588423
公開番号（公開出願番号）：特表2003-524703
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：
【要約】チャンバー本体と、絶縁ピンによりお互いから断熱された加熱ライナーとを備えたウェーハ処理装置である。ウェーハ処理中、例えば、四塩化チタンとアンモニアの間の熱反応による窒化チタン膜の堆積中、ウェーハ基板は加熱された支持台により600〜700°Cの範囲の反応温度まで加熱される。チャンバーライナー及びチャンバー内壁は150〜250°Cの間の温度に維持され、チャンバー内での所望しない副産物の堆積を防止する。これはチャンバーの洗浄手順を容易にし、元の位置にある塩素ベースの処理を使用して行われる。加熱されたライナーとチャンバー本体の間の優れた断熱はチャンバーの外面を60〜65°Cの安全な作動温度に維持させる。加熱された排気装置はまた処理チャンバーと関連させて使用され、排気ガス及び反応副産物を除去する。外部ヒータは約150〜200°Cの温度に排気装置を維持するために使用され、排気装置の内面への所望しない堆積を最小にする。
請求項（抜粋）：
チャンバー本体と、 該チャンバー本体に実質的に囲まれたライナーと、を備え、該ライナーは第1温度T1に維持され、前記チャンバー本体は第2温度T2に維持され、前記第2温度T2は前記第1温度T1より低いことを特徴とするウェーハ処理装置。
Fターム (7件)：
4K030BA18
, 4K030BA38
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030JA10
, 4K030KA46
, 4K030LA15
