特許

J-GLOBAL ID：200903009192734862

冷却構造

発明者： 野辺 浩明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044564
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254794
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 プリント基板にフィンを有する半導体素子を実装し、冷却風の通風により該半導体素子の冷却を行う冷却構造に関し、プリント基板に実装されたそれぞれの半導体素子に対する冷却効率が均一化されるように形成することを目的とする。【構成】 プリント基板の実装面に実装された半導体素子と、該半導体素子に設けられた第1のフィンとを備え、該実装面に冷却風を通風し、該半導体素子の冷却を行う冷却構造であって、前記半導体素子の実装された実装位置が前記冷却風の送風側から遠方になる程、除々に前記第1のフィンの高さが高くなる如く、該実装位置に応じて該第1のフィンの高さが異なるように構成する。

請求項（抜粋）：

プリント基板(1) の実装面(1A)に実装された半導体素子(2)と、該半導体素子(2) に設けられた第1のフィン(3) とを備え、該実装面(1A)に冷却風(4) を通風し、該半導体素子(2) の冷却を行う冷却構造であって、前記半導体素子(2) の実装された実装位置が前記冷却風(4) の送風側から遠方になる程、前記第1のフィン(3) の高さ(H1 〜Hn) が除々に高くなる如く、該実装位置に応じて該第1のフィン(3) の高さ(H1 〜Hn) が異なるように形成することを特徴とする冷却構造。

IPC (3件)：

H05K 7/20 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/467

FI (2件)：

H01L 23/36 Z ,  H01L 23/46 C