半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315103
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152208
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】気相成長を行う半導体製造装置に関し、大面積に亙って均一な膜成長が可能な装置構成を提案することを目的とする。【構成】被処理基板(7)の温度を放射温度計(8)を用いて測定しながら、基板加熱が行われている被処理基板(7)上にシャワーヘッド(2)より複数の反応ガスを供給し、減圧排気しながら反応を行わせる装置において、反応ガスを供給するシャワーヘッド(2)が、複数の供給ガスをそれぞれプールする中間室(9)(10)と、この中間室(9)(10)よりそれぞれの反応ガスをシャワーヘッド(2)の下面に設けてある複数の噴出口に分割して供給する複数の導入孔(11)と、シャワーヘッド(2)の中央に貫通して設けてあり、一方の反応ガスの供給管を備えた放射温度計(8)用の測温穴(12)とを少なくとも備えて構成されていることを特徴として半導体製造装置を構成する。

請求項（抜粋）：

被処理基板(7)の温度を放射温度計(8)を用いて測定しながら、基板加熱が行われている被処理基板(7)上にシャワーヘッド(2)より複数の反応ガスを供給し、減圧排気しながら反応を行わせる装置において、反応ガスを供給する前記シャワーヘッド(2)が、複数の供給ガスをそれぞれプールする中間室(9)(10)と、該中間室(9)(10)よりそれぞれの反応ガスをシャワーヘッド(2)の下面に設けてある複数の噴出口に分割して供給する複数の導入孔(11)と、該シャワーヘッド(2)の中央に貫通して設けてあり、一方の反応ガスの供給管を備えた放射温度計(8)用の測温穴(12)と、を少なくとも備えて構成されていることを特徴とする半導体製造装置。

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