プラズマ処理方法及び装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065984
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261630
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】誘電体表面に膜が堆積するのを抑制できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】真空室1内にガス供給装置2Aから酸素及びアルゴンから成る混合ガスをガス吹き出し孔3Aを介して導入し、ガス供給装置2BからTEOSを、誘電体6の表面とは反対方向に、基板9に対して斜め向きに開孔されているガス吹き出し孔3Bを介して導入し、真空室1内をポンプ4により排気し、真空室1内を適当な圧力に保ちながら、コイル用高周波電源5により高周波電力を、誘電体6に沿って配置されたコイル7に供給すると、真空室1内にプラズマが発生し、電極8上に載置された基板9上に、シリコン酸化膜が形成され、かつ、誘電体表面にシリコン酸化膜が堆積するのを抑制することができる。

請求項（抜粋）：

基板(9)上に堆積させるべき堆積元素を含むガスを真空室(1)内に供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電体(6)に沿って配置されたコイル(7)に高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプラズマを発生させて上記真空室内の電極(8)に載置された上記基板に上記堆積元素を含む薄膜を堆積するプラズマ処理方法において、上記堆積元素の上記誘電体に対する堆積を防止する堆積防止ガスと、上記堆積元素を含むガスとが上記真空室内に流れている状態で、上記基板に上記薄膜を堆積することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , C23C 16/52 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/52 , C23F 4/00 E , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

処理方法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-329329 出願人：東京エレクトロン株式会社

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