特許
J-GLOBAL ID：200903009201399605
半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154634
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347449
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 熱的、機械的衝撃に対して接合界面またはその近傍付近で容易に剥離、分離することがあり信頼性のある接合状態を形成することができない。【解決手段】 上面に半導体素子5が搭載される凹部1aを有するセラミックスから成る絶縁基板1と、絶縁基板1の上面に凹部1aの近傍から外周辺の外側にかけて導出され、低融点ガラスで固定されたリードフレーム端子3と、凹部1aを覆うようにリードフレーム端子3の低融点ガラス1bで固定された部位の上に封止材4を介して接合される絶縁蓋体2とから成る半導体素子収納用パッケージであって、低融点ガラス1bは線熱膨張係数が5〜8×10-6/°Cであり、封止材4は、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂に熱硬化性樹脂よりも弾性率が低い粒径0.1〜1.5μmの有機材料粉末を含有させて、弾性率を0.1〜3.0GPaとしたものであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子が搭載される凹部を有するセラミックスから成る絶縁基板と、該絶縁基板の上面に前記凹部の近傍から外周辺の外側にかけて導出され、低融点ガラスで固定されたリードフレーム端子と、前記凹部を覆うように前記リードフレーム端子の前記低融点ガラスで固定された部位の上に封止材を介して接合される絶縁蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記低融点ガラスは線熱膨張係数が5〜8×10-6/°Cであり、前記封止材は、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂に該熱硬化性樹脂よりも弾性率が低い粒径0.1〜1.5μmの有機材料粉末を含有させて、弾性率を0.1〜3GPaとしたものであることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/10 B
, H01L 23/08 C
