特許

J-GLOBAL ID：200903009202627130

読み出しエラーを減らすことができるマルチレベル相変化メモリ装置及びその読み出し方法

発明者： 鄭 基泰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180384
公開番号（公開出願番号）：特開2009-020998
出願日： 2008年07月10日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】相変化メモリ装置及びその読み出し方法が提供される。【解決手段】本発明による相変化メモリ装置は、マルチビットデータの各々に対応する複数の抵抗状態のうち、何れか一つを有するようにプログラムされる複数のメインセルと、前記複数のメインセルがプログラムされる毎に、前記複数の抵抗状態のうち、相異する少なくとも2つの抵抗状態を有するようにプログラムされる複数のレファレンスセルと、前記複数のレファレンスセルを感知して前記複数の抵抗状態の各々を識別するためのレファレンス電圧を生成するレファレンス電圧発生回路と、を含む。詳述した構成を通して、本発明の相変化メモリ装置は、時間の経過によって変動する相変化物質の抵抗値にもかかわらず、読み出し動作の信頼性を高めることができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

マルチビットデータの各々に対応する複数の抵抗状態のうち、何れか一つを有するようにプログラムされる複数のメインセルと、 前記複数のメインセルがプログラムされる毎に、前記複数の抵抗状態のうち、相異する少なくとも2つの抵抗状態を有するようにプログラムされる複数のレファレンスセルと、 前記複数のレファレンスセルを感知して前記複数の抵抗状態の各々を識別するためのレファレンス電圧を生成するレファレンス電圧発生回路と、を含む可変抵抗メモリ装置。

IPC (1件)：

G11C 13/00

FI (1件)：

G11C13/00 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6、625、054号明細書