特許

J-GLOBAL ID：200903009203875625

ESD入力保護装置

発明者： オーチャード-ウェブ ジョナサン エイチ
出願人/特許権者： ミッテル コーポレーション
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046283
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204176
出願日： 1995年02月10日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 モノシリック集積回路の入力部をESD(静電放電)事象から保護する簡単な構造の入力回路を提供することである。【構成】 ESD事象からモノシリック集積回路を保護する装置は、ESDストレスの下で降伏してESDエネルギを消散させるようになっている主厚膜フィールド・バイポーラトランジスタと、ESDストレスの下で降伏するようになっている主薄膜フィールド・バイポーラトランジスタと、減衰器抵抗器とを包含する。薄膜フィールド・トランジスタは厚膜フィールド・トランジスタよりも低い降伏電圧を有し、それによって、所与の極性のESD事象のときに、薄膜フィールド・トランジスタが厚膜フィールド・トランジスタの前に降伏する。ESD事象電流の間、薄膜フィールド装置はESD過渡電流の急速なエッジに急速に応答して厚膜フィールド装置の応答が遅すぎる電流を分路(シャント)する。

請求項（抜粋）：

静電放電(ESD)事象から第1導電型の基板を持つモノシリック集積回路を保護する入力保護装置であって、ESDストレスの下でブレークダウンして接点パッド(1)に現れるESDエネルギを消散させるようになっているスナップバック厚膜フィールド・バイポーラトランジスタ装置(3)と、ESDストレスの下にブレークダウンするようになっているスナップバック薄膜フィールド・バイポーラトランジスタ装置(4)と、前記接点パッド(1)に前記薄膜フィールド・バイポーラトランジスタ(4)を接続する減衰器抵抗器(6)とからなり、前記薄膜フィールド・トランジスタ(4)が前記厚膜フィールド・トランジスタ装置(3)よりも低いブレークダウン電圧を有し、所与の極性のESD事象の場合に、前記薄膜フィールド・トランジスタ(4)が前記厚膜フィールド・トランジスタ(3)の前にブレークダウンし、厚膜フィールド・トランジスタ装置(4)の動作が遅すぎるために応答できないESD過渡現象の急速なエッジを分路することを特徴とするESD入力保護装置。