特許
J-GLOBAL ID:200903009207997989

地磁気方位センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-195186
公開番号(公開出願番号):特開平9-042968
出願日: 1995年07月31日
公開日(公表日): 1997年02月14日
要約:
【要約】【課題】 実用的な感度を有し、しかも小型化、低価格化が容易であるとともに、製造工数が削減されて高い品質を有する地磁気方位センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 各強磁性体コアK1 ,K2 の表面に、MR素子M1 ,M2 ,M3,M4 の出力端子となる引出し線用パッド11と、励磁用コイルC1 ,C2 にバイアス電流を供給するためのコイル用パッド12とを共にAuを材料として成膜形成する。
請求項(抜粋):
地磁気を集束する複数の強磁性体コアがそれぞれ所定のギャップをもって周方向に配され、磁気抵抗効果素子がギャップ内に配されるとともに、バイアス電流の供給によりバイアス磁界が発生する励磁用コイルが前記強磁性体コアに巻回されてなる地磁気方位センサであって、各磁気抵抗効果素子と電気的に接続されて当該磁気抵抗効果素子の出力端子となる引出し線用パッドと、励磁用コイルを構成する線材の各端部がそれぞれ電気的に接続されて当該励磁用コイルにバイアス電流を供給するためのコイル用パッドとが共にAuを材料として成膜形成されていることを特徴とする地磁気方位センサ。
IPC (3件):
G01C 17/32 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/09
FI (3件):
G01C 17/32 ,  G01R 33/02 L ,  G01R 33/06 R

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