特許
J-GLOBAL ID：200903009211837457
配線基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164268
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350218
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【構成】 本発明の配線基板は、酸化ビスマスを含むガラスマトリックスを有し、平均粒径0.01μm〜0.4μmのルテニウム化合物を含有する抵抗体層と、銀または銀化合物を含有する導体層と、基板とを同時一体焼成してなるものである。【効果】 本発明においては、抵抗体層中のガラスマトリックス中に酸化ビスマスを存在させることにより、導体ペースト中の銀およびこれに伴う抵抗体層中のルテニウム化合物の上記ガラスマトリックス中への拡散が防止され、抵抗体中に適切な導電ネットワークが得られ、従って、目的の抵抗値を精度よく制御することができる。
請求項（抜粋）：
酸化ビスマスを含むガラスマトリックスを有し、平均粒径0.01μm〜0.4μmのルテニウム化合物を含有する抵抗体層と、銀または銀化合物を含有する導体層と、基板とを同時一体焼成してなる配線基板。
IPC (3件)：
H05K 1/16
, H01C 7/00
, H05K 1/09
