特許
J-GLOBAL ID:200903009213566450

半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-199944
公開番号(公開出願番号):特開2001-028456
出願日: 1999年07月14日
公開日(公表日): 2001年01月30日
要約:
【要約】【課題】 安価なコストで精度良く作製できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板2上に形成された活性層4を含む複数の半導体層3、5、6を有する半導体発光素子1において、発光領域4から出射される出射光の方向にあり、かつ半導体層3、5、6のうち、発光領域4の上部に形成されている上部半導体層5、6の一部を加工したフレネルレンズ部5Aを有し、前記出射光をフレネルレンズ部5Aで収束するようにした。
請求項(抜粋):
基板上に形成された発光領域を含む複数の半導体層を有する半導体発光素子において、前記発光領域から出射される出射光の方向にあり、かつ前記半導体層のうち、前記発光領域の上部に形成されている上部半導体層の一部を加工したフレネルレンズ部を有し、前記出射光を前記フレネルレンズ部で収束するようにしたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  H01S 5/026
FI (2件):
H01L 33/00 A ,  H01S 3/18 616
Fターム (24件):
5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA14 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA99 ,  5F041EE01 ,  5F041EE11 ,  5F041EE15 ,  5F041FF14 ,  5F041FF16 ,  5F073AB26 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA02 ,  5F073CA05 ,  5F073DA26 ,  5F073DA35 ,  5F073EA19

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