特許
J-GLOBAL ID：200903009214435058
電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197781
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029795
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】銅などの金属分により汚染された半導体基板などの電子材料を、効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができ、かつ洗浄後の廃液処理負担の軽い電子材料用洗浄水を提供する。【解決手段】オゾンを含有する超純水であって、標準酸化還元電位が1,200〜1,500mVであり、pHが3.5〜6.5であることを特徴とする電子材料用洗浄水、あらかじめ酸を添加してpHを3.5〜6.5に調整した超純水とオゾンガスを、ガス透過膜を介して接触させるか、又は、オゾンガスと超純水をガス透過膜を介して接触させて調製したオゾン溶解水に酸を添加してpHを3.5〜6.5に調整することを特徴とする該電子材料用洗浄水の製造方法、及び、金属分で汚染された電子材料を、該電子材料用洗浄水と接触させることを特徴とする電子材料の洗浄方法。
請求項（抜粋）：
オゾンを含有する超純水であって、標準酸化還元電位が1,200〜1,500mVであり、pHが3.5〜6.5であることを特徴とする電子材料用洗浄水。
IPC (7件)：
C11D 7/18
, B08B 3/04
, B08B 3/08
, C02F 1/50 531
, C02F 1/50 540
, C02F 1/50 550
, H01L 21/304 341
C11D 7/18
, B08B 3/04 Z
, B08B 3/08 Z
, C02F 1/50 531 R
, C02F 1/50 540 A
, C02F 1/50 550 C
, H01L 21/304 341 L
