特許
J-GLOBAL ID：200903009219554250
半導体チップの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-059423
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226940
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】テストパターンの除去を汎用性を確保しながら簡素な工程で効率よく行うことができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数のチップ領域に形成された集積回路3とスクライブラインに形成されたテストパターン4とを有する半導体ウェハ1をプラズマエッチングにより分割して個片の半導体チップを製造する方法において、レーザ光5aを回路形成面1a側から照射してテストパターン4を除去した後に回路形成面1aに回路保護シート6を貼り付けた状態で回路形成面の裏側を機械研削により薄化し、薄化後の半導体ウェハの裏面1bにマスク用シートを貼り付け、プラズマダイシング用のマスクをレーザ光により加工する。これにより、半導体ウェハ1を薄化からプラズマダイシングに至るまで1つの回路保護シートによって保持することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
スクライブラインによって区画される複数の領域に形成された集積回路と前記スクライブラインに形成されたテストパターンとを有する半導体ウェハをプラズマエッチングにより個々の集積回路毎に分割して個片の半導体チップを製造する半導体チップの製造方法であって、
前記半導体ウェハのスクライブラインに沿ってレーザ光を前記集積回路の回路形成面側から照射することにより、前記テストパターンを半導体ウェハの表面層とともに除去するテストパターン除去工程と、
前記テストパターン除去工程後の前記半導体ウェハの前記回路形成面側に回路保護シートを貼り付ける回路保護シート貼り付け工程と、
前記回路保護シートが貼着された状態の前記半導体ウェハを前記回路形成面の裏面から機械研削することによって薄化するウェハ裏面研削工程と、
前記ウェハ裏面研削工程後の半導体ウェハの裏面に、前記プラズマエッチングにおけるマスクとなるマスク用シートを貼り付けるマスク用シート貼り付け工程と、
前記マスク用シートが貼り付けられた前記半導体ウェハのスクライブラインに沿ってレーザ光を前記マスク用シート側から照射することにより、前記スクライブライン上の前記マスク用シートを所定幅だけ除去して前記マスクを加工するマスク加工工程と、
前記マスク加工工程の後、前記半導体ウェハにおいて前記除去された所定幅のマスク用シートに対応する部分をプラズマエッチングすることにより、前記レーザ光の照射によって生じたダメージ層を除去するとともに前記半導体ウェハを個々の集積回路毎に分割するプラズマダイシング工程と、
前記プラズマダイシング後の半導体ウェハに前記マスク用シートの上面を覆って個片に分割された状態の半導体チップを保持するための粘着シートを貼り付ける粘着シート貼り付け工程と、
前記粘着シート貼り付け工程後の半導体ウェハから、前記回路保護シートを除去する回路保護シート除去工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304
, H01L 21/306
H01L21/78 Q
, H01L21/78 S
, H01L21/304 631
, H01L21/302 105B
, H01L21/302 105A
5F004AA07
, 5F004AA09
, 5F004BA04
, 5F004BB18
, 5F004BB25
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB23
, 5F004EB04
, 5F004FA05
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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