特許

J-GLOBAL ID：200903009219800358

エッチング方法

発明者： フランツ・ズムニッチュ ,  ゲラルト・ワーグナー
出願人/特許権者： エスイーゼット セミコンダクター -イクイプメント ツベヘーア フュア ジ ハルブライターフェルティグング アーゲー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027834
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274147
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハに形成された二酸化シリコン層のアンダーカッテングを均一にできるエッチング方法を提供することである。【解決手段】二酸化シリコン層9のエッチングに対して有効な成分を含む液体エッチング媒体が、回転している半導体ウエハ1に与えられて、半導体ウエハの一面から層を全体に渡って除去すると共に、ウエハの他面の規定されたエッジ3の領域でのアンダーカッテングをするウエットエッチング方法である。上記有効な成分として、フッ化水素酸を含むエッチング媒体が使用され、また、このエッチング媒体は、前記有効な成分に加えて、カルボン酸を含み、そして、エッチング媒体は、半導体ウエハのエッジの周りからエッチングされる半導体ウエハの面に流れることを可能にする。

請求項（抜粋）：

除去される層に対して有効な成分を含む液体エッチング媒体が、回転している半導体ウエハに与えられて、半導体ウエハの一面から層を全体に渡って除去すると共に、ウエハの他面の規定されたエッジ領域でのアンダーカッテングにより、層を除去する半導体ウエハのウエットエッチング方法において、二酸化シリコン層を除去するために、除去される二酸化シリコン層に対して有効な成分としてフッ化水素酸を含むエッチング媒体が使用され、また、このエッチング媒体は、前記有効な成分に加えて、カルボン酸を含み、そして、エッチング媒体は、半導体ウエハのエッジの周りからエッチングする方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336967   出願人：株式会社東芝
• 特開昭58-055324
  
• 特開昭49-052799
  
• 特開昭63-283028
  
• 特開平3-179737