半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169018
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔へのAl膜の埋め込み性を向上させると共に、ジャンクションリークの発生をなくす。【構成】半導体基板1上の層間絶縁膜2にコンタクト孔3を形成する。次にスパッタチャンバー内でTiN/Ti膜4とAl膜5をスパッタ法により形成する。次に基板をリフローチャンバーに移す。この時Al膜5上に自然酸化膜6が形成される。この自然酸化膜6をArガスのプラズマにより除去したのち、基板を加熱しAl膜をリフローさせる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された層間絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を含む全面にAl膜を形成する工程と、このAl膜の表面に不活性ガスのプラズマを照射し表面の自然酸化膜を除去する工程と、前記半導体基板を加熱し自然酸化膜が除去された前記Al膜を流動化させ前記コンタクト孔を埋めると共に表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-089340
特開平2-079446
特開平3-148854

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