特許
J-GLOBAL ID：200903009224106885
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182041
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010763
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】光の取り出し効率を向上させることができる上、半導体多層膜に接する電極の変質を防ぐことができる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板(10)と、基板(10)上に形成された金属接合層(11)と、金属接合層(11)上に配置された、凹部(12a)を有する金属層(12)と、凹部(12a)内に形成された電極(13)と、電極(13)に接し、かつ凹部(12a)内に形成された半導体多層膜(14)と、半導体多層膜(14)の側面と凹部(12a)との間に配置された電気絶縁膜(15)とを含み、凹部(12a)は、半導体多層膜(14)の光出射側に向かって広がっており、半導体多層膜(14)の側面は、凹部(12a)の内壁に沿って形成されており、金属接合層(11)と金属層(12)との間に介在する金属拡散防止層(17)を含む半導体発光装置(1)とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された金属接合層と、前記金属接合層上に配置された、凹部を有する金属層と、前記凹部内に形成された電極と、前記電極に接し、かつ前記凹部内に形成された半導体多層膜と、前記半導体多層膜の側面と前記凹部との間に配置された電気絶縁膜とを含む半導体発光装置であって、
前記凹部は、前記半導体多層膜の光出射側に向かって広がっており、
前記半導体多層膜の側面は、前記凹部の内壁に沿って形成されており、
前記金属接合層と前記金属層との間に介在する金属拡散防止層を含むことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (31件)：
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F173AA01
, 5F173AB52
, 5F173AB90
, 5F173AG12
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AH48
, 5F173AK04
, 5F173AK20
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP23
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AQ02
, 5F173AR23
, 5F173AR72
, 5F173AR96
