半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045120
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237499
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】テスト時間の短縮化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ロウデコーダ3は、半導体記憶装置1の外部から入力されるテストモード信号φに基づいて通常動作時にはロウアドレスRAに対応したワード線WLを選択し、テストモード時には通常動作時に選択されるワード線よりも多くのワード線WLを選択する。内部昇圧電源回路4は、テストモード信号に基づいて、通常動作時には外部電源電圧VCCに基づいて所定電圧昇圧した昇圧電源電圧VPPを生成して出力し、テストモード時には外部電源電圧VCCを出力する。そして、ロウデコーダ3は、通常動作時には内部昇圧電源回路4から入力した昇圧電源電圧VPPをその時に選択したワード線WLに供給し、テストモード時には内部昇圧電源回路4から入力した外部電源電圧VCCをその時に選択したワード線WLに供給する。

請求項（抜粋）：

入力されたテストモード信号に基づいて、通常動作時には入力されたロウアドレスに対応するワード線を選択し、テストモード時には通常動作時に選択されるワード線よりも多くのワード線を選択するロウデコーダとを備えた半導体記憶装置において、外部から入力される外部電源電圧と、前記テストモード信号とを入力し、そのテストモード信号に基づいて通常動作時には前記外部電源電圧に基づいて所定電圧昇圧した昇圧電源電圧を生成し出力し、テストモード時には前記外部電源電圧を出力する内部昇圧電源回路を備え、前記ロウデコーダは、通常動作時には前記内部昇圧電源回路により生成された昇圧電源電圧をその通常動作時に選択したワード線に供給し、テストモード時には前記内部昇圧電源回路から入力した外部電源電圧をそのテストモード時に選択したワード線に供給するようにした半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 303 , G11C 11/413 , G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 29/00 303 B , G11C 11/34 341 D , G11C 11/34 371 A

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