特許
J-GLOBAL ID：200903009226870728
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050794
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263711
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】微細加工精度を向上させて容易に可動及び固定電極を形成することができ、初期容量を安定させること目的とする。【構成】n型のシリコン基板1にP+ 型の固定電極層2を形成し、その上面に一定の厚さとなるn型のエピタキシャル層5を形成し、エピタキシャル層5の上面にはP+ 型の可動電極層を形成する。そして、アルカリエッチング処理されたくない部分にはマスク材33を形成した後、アルカリエッチング処理によりエピタキシャル層5を除去処理する。すると、固定電極層2と可動電極層7との間のエピタキシャル層が除去されて間隙gが形成される。そのため、可動電極層7は固定電極層2に対して偏位自在な状態となる。加速度が与えられると可動電極層7は偏位し、固定電極層2との間の静電容量が変化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に半導体により構成された第1の電極板を形成し、その上面に一定の厚さとなる半導体層を形成し、前記半導体層の上面に半導体により構成された第2の電極板を形成し、前記第1及び第2の電極板に挟まれた半導体層を除去処理して第2の電極板を第1の電極板に対して偏位自在にすることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
-
特開昭61-084537
-
特開昭59-044875
前のページに戻る
