特許

J-GLOBAL ID：200903009227564930

電界効果型半導体装置

発明者： 石村 暢一 ,  友松 佳史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-378796
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184986
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 複雑な工程を追加することなく、更なる高破壊耐量を実現し得る絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 第1の導電型の半導体層と、該半導体層の下側に形成された第2の導電型のコレクタ領域と、該半導体層の上面の一部をなすように形成された第2の導電型のベース領域と、該ベース領域の上面の一部をなすように形成された第1の導電型のエミッタ領域と、該エミッタ領域と半導体層との間に挟まれたベース領域に接触するように形成された絶縁層と、該絶縁層上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を覆うように形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜とベース領域とエミッタ領域とに連続的に接触するように形成されたバリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成されたエミッタ電極とを有している電界効果型半導体装置において、上記バリアメタル層を、窒素を含有する層で構成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体層と、該半導体層の下側に形成され、下面にコレクタ電極が設けられた第2の導電型のコレクタ領域と、該半導体層の上面の一部をなすように形成された第2の導電型のベース領域と、該ベース領域の上面の一部をなすように形成された少なくとも一対の第1の導電型のエミッタ領域と、該エミッタ領域と半導体層との間に挟まれたベース領域に接触するように形成された絶縁層と、該絶縁層上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を覆うように形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜とベース領域とエミッタ領域に連続的に接触するように形成されたバリアメタル層と、該バリアメタル層上に形成されたエミッタ電極とを有している電界効果型半導体装置において、上記エミッタ電極と層間絶縁膜との間に形成されるバリアメタル層が、窒素を含有する層からなることを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 658 F

Fターム (13件)：

4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04