半導体光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-053034
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】浮遊インダクタンスや浮遊容量が小さく、かつチップ抵抗や金属被膜抵抗より発生する熱を効率よく放散して、安定に動作することができ、長距離・大容量光伝送や光情報処理に用いられる半導体光装置を提供することにある。【構成】所定の厚さを持つ基板11と、該基板11の上に配置された少なくとも1本のマイクロ波導波路15と、該少なくとも1本の導波路15の両側に、所定の間隔だけ隔てて設けられた電極部12とからなるコープレーナ導波回路により、制御、駆動される半導体光素子において、該基板11を合成ダイヤモンドとし、かつその片側に前記マイクロ波導波路15を介して、所定の値の金属被膜抵抗13を、前記電極部12とマイクロ波導波路15の間に設けられた間隙の両側または片側に、かつ該半導体光素子に並列に設置した半導体光装置である。

請求項（抜粋）：

所定の厚さを持つ基板と、該基板上に配置された少なくとも1本のマイクロ波導波路と、該少なくとも1本の導波路の両側に、所定の間隔だけ隔てて設けられた導体とからなるコープレーナ導波回路により、制御、駆動される半導体光素子において、該基板を合成ダイヤモンドとし、かつその片側に前記マイクロ波導波路を介して、所定の値の金属被膜抵抗を、前記導体とマイクロ波導波路の間に設けられた間隙の両側または片側に、かつ該半導体光素子に並列に設置したことを特徴とする半導体光装置。

IPC (2件)：

G02B 6/42 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-271585
特開昭64-037891
特開平2-023639

全件表示

前のページに戻る