特許

J-GLOBAL ID：200903009235298077

磁気記憶装置及びその製造方法

発明者： 中島 健太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311495
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146687
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】書き込み電流の低減を図ることが可能な磁気記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気記憶装置は、第1の方向に延在された第1の配線10と、この第1の配線10の上方に配置された金属層13と、この金属層13上の所定領域に配置されたMTJ素子19と、このMTJ素子19上に配置されたコンタクト層23と、第1の方向と異なる第2の方向に延在され、コンタクト層23上に配置され、コンタクト層23の上部を覆う突出部30を有する第2の配線25と、金属層13、MTJ素子19、コンタクト層23及び第2の配線25の周囲に埋設され、第2の配線25の表面と同じ高さの表面を有する絶縁膜21とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在された第1の配線と、 前記第1の配線の上方に配置された第1の金属層と、 前記第1の金属層上の所定領域に配置された第1の磁気抵抗効果素子と、 前記第1の磁気抵抗効果素子上に配置された第1のコンタクト層と、 前記第1の方向と異なる第2の方向に延在され、前記第1のコンタクト層上に配置され、前記第1のコンタクト層の上部を覆う突出部を有する第2の配線と、 前記第1の金属層、前記第1の磁気抵抗効果素子、前記第1のコンタクト層及び前記第2の配線の周囲に埋設され、前記第2の配線の表面と同じ高さの表面を有する第1の絶縁膜と を具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03