特許

J-GLOBAL ID：200903009248099847

強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ

発明者： 松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098486
公開番号（公開出願番号）：特開平9-282943
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜の成膜温度を低温化することで結晶粒成長を抑制し、十分な電気特性を有する緻密・表面平滑な強誘電体結晶薄膜を作製する。【解決手段】 基板表面に形成された電極上に予め強誘電体結晶核層を形成した後、その上に非晶質強誘電体層を堆積し、基板側から加熱、結晶化を行う強誘電体結晶薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板表面に形成された電極上に予め強誘電体結晶核層を形成した後、その上に非晶質強誘電体層を堆積し、基板側から加熱、結晶化を行うことを特徴とする強誘電体結晶薄膜の製造方法。

IPC (10件)：

H01B 3/00 ,  C04B 35/46 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01B 3/00 F ,  H01L 27/10 451 ,  C04B 35/46 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371