特許

J-GLOBAL ID：200903009251704905

薄膜トランジスタ

発明者： 川合 勝博 ,  片山 幹雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104842
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314789
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 構成の小型化を図ることができ、且つ信頼性と応答特性とを向上した薄膜トランジスタを提供する。【構成】 液晶表示装置31に用いられている薄膜トランジスタ20は、ガラスなどの絶縁性基板29上に、金属材料から作成されるゲート電極21、ゲート絶縁膜28、真性アモルファスシリコンからなる半導体層27、エッチングストッパー層26、燐を添加したn+微結晶シリコンからなるオーミックコンタクト層24、25、金属材料からなるソース電極22およびドレイン電極23を、この順に積層した構造を有している。

請求項（抜粋）：

電気絶縁性基板と、該電気絶縁性基板上に配置されている帯状のゲート電極と、該ゲート電極の表面を被覆しているゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜に関して該ゲート電極と反対側に配置され、該ゲート絶縁膜と接触する半導体層と、該半導体層に関して前記ゲート絶縁膜と反対側に配置され、半導体層に接触し、かつ導電性を有する複数のコンタクト層と、該複数のコンタクト層の一方に接続されているソース電極及び該複数のコンタクト層の他方に接続されているドレイン電極とを有し、前記複数のコンタクト層は、比抵抗が10Ωcm以下のn型微結晶シリコンから形成され、該ソース電極及びドレイン電極の少なくともいずれか一方は、該ゲート電極と重なり合う範囲以外の領域に形成されている薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-185840
  
• 特開昭63-086573
  
• 特開昭62-198163