特許
J-GLOBAL ID：200903009267025862
磁気抵抗効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077996
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270550
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 外部磁界の変化に応じて磁気抵抗効果特性を自在に制御することを可能とする磁気抵抗効果素子を提供する【解決手段】 磁気抵抗効果素子1は、巨大磁気抵抗効果を示す巨大磁気抵抗効果素子2と、この巨大磁気抵抗効果素子2に対向して配される異方性磁気抵抗効果素子3と、巨大磁気抵抗効果素子2と異方性磁気抵抗効果素子3との間に配され、巨大磁気抵抗効果素子2と異方性磁気抵抗効果素子3とに対して所定のバイアス磁界を付与するバイアス導体4とを備える。この磁気抵抗効果素子1において、バイアス磁界は、巨大磁気抵抗効果素子2と異方性磁気抵抗効果素子3とに対してそれぞれ逆方向に印加される
請求項（抜粋）：
巨大磁気抵抗効果を示す巨大磁気抵抗効果素子と、上記巨大磁気抵抗効果素子に対向して配される異方性磁気抵抗効果素子と、上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異方性磁気抵抗効果素子との間に配され、上記巨大磁気抵抗効果素子と上記異方性磁気抵抗効果素子とに対して所定のバイアス磁界を付与するバイアス導体と、を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
