特許
J-GLOBAL ID:200903009267621678
有機薄膜トランジスタ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 徳廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-096208
公開番号(公開出願番号):特開2004-304009
出願日: 2003年03月31日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】封止可能な構造の有機薄膜トランジスタを安価に提供する。【解決手段】有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタにおいて、有機薄膜トランジスタが第1基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極、保護膜、第2基板によって構成されており、第1基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極、有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極を形成し、第2基板上に保護膜を形成して、第1基板の有機半導体膜が形成されている面と第2基板の保護膜が形成されている面とを重ね合わせてなる有機薄膜トランジスタ。前記保護膜が半固形物からなる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタにおいて、有機薄膜トランジスタが第1基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極、保護膜、第2基板によって構成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
, H01L29/28
Fターム (27件):
5F110AA30
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF28
, 5F110GG05
, 5F110GG24
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK32
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN32
, 5F110QQ19
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