特許
J-GLOBAL ID：200903009268176082
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330333
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193235
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】LDDトランジスタの寄生抵抗と短チャネル効果を同時に抑える。【構成】トランジスタのゲート電極5の側面に第1の絶縁性スペーサ6Aaを形成した後に、素子形成領域のうちゲート電極5,第1の絶縁性スペーサ6Aaで覆われていない部分にあらかじめシリコン膜7-1,7-2を被着形成することによって、不純物領域のほとんどの部分が基板上部に形成され、基板内部には極めて浅い拡散層7-1,7-2,9-1,9-2が形成される。したがって、実効チャネル長を短くすることなく、従来困難であった低濃度不純物領域の低抵抗化が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の側面に設けられた第1の絶縁性スペーサと、前記第1の絶縁性スペーサおよび前記半導体基板表面に接して前記ゲート電極の両側に設けられたシリコン膜と、前記第1の絶縁性スペーサの側面および前記シリコン膜の一部に接して設けられた第2の絶縁性スペーサと、前記ゲート電極下の領域を挟んで前記半導体基板の表面部にそれぞれ選択的に形成された一対のソース・ドレイン拡散層とを有し、前記ソース・ドレイン拡散層が前記ゲート電極下の領域側の低濃度拡散層と前記低濃度拡散層に連結する高濃度拡散層からなり、前記シリコン膜が前記第1の絶縁性スペーサ側の低濃度不純物領域と前記低濃度不純物領域に連結する高濃度不純物領域とからなるMISトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 P
