特許
J-GLOBAL ID：200903009268987277
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239711
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051582
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 FeRAMメモリセルの下部電極の酸素バリア性を向上させることにより、メモリセルの歩留まりを向上させ、また、その特性を向上させる。【解決手段】 Al(アルミニウム)とIr(イリジウム)との合金よりなるバリア層B1a上に、FeRAMメモリセルのキャパシタCの下部電極10aとなるPt(白金)膜を堆積した後、酸素を含んだ雰囲気中、500〜700°Cでアニール(熱処理)を行う。その結果、複数の結晶粒からなるPt膜中のPt結晶の粒界に、Al2O3(酸化アルミニウム)が形成されるので、その後、例えば容量絶縁膜11aとなるPZT膜の結晶化のための酸素雰囲気中でのアニールが行われたとしても、このPt結晶の粒界を介して酸素が下部電極10aやその下のバリア層B1aや、さらに、下層のプラグP1に侵入することを防止することができる。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に、Alと第1金属を主成分とする合金からなる第1導電体を形成する工程と、(b)前記第1導電体上に、前記第1導電体と電気的に接続された、第2導電体を形成する工程と、(c)前記工程(b)と同時に、もしくは前記工程(b)の後で、酸化性雰囲気中で高温保持を行う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (19件)：
5F083FR02
, 5F083GA25
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA08
, 5F083PR33
, 5F083PR34
, 5F083PR39
, 5F083PR40
