特許

J-GLOBAL ID：200903009272316425

シリコン基板からなるIII族窒化物材料構造体

発明者： ハンソン、アラン ダブリュ. ,  ロバーツ、ジョン クラーセン ,  ピナー、エドウィン エル. ,  ラジャゴパル、プラディープ
出願人/特許権者： ニトロネックス コーポレイション
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-544575
公開番号（公開出願番号）：特表2008-522447
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

シリコン基板を含むIII 族窒化物材料構造だけでなく、同構造に関連する方法についても記載される。構造の寄生損失を著しく小さくすることができ、これが性能向上として現れる。本発明の構造により形成される素子(RF素子のような)は、種々の利点の中でもとりわけ、高出力電力、高電力利得、及び高電力効率を有することができる。

請求項（抜粋）：

102Ω-cm超の抵抗率を有し、かつ1017/cm3未満の最大自由キャリア濃度の上面領域を含むシリコン基板と、 シリコン基板の上面を覆うように形成されるIII 族窒化物材料領域とを備える半導体構造。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (12件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01