特許

J-GLOBAL ID：200903009275554440

磁気デバイスおよびこれを用いた磁気メモリ

発明者： 小田川 明弘 ,  足立 秀明 ,  松川 望
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-340591
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179219
出願日： 2002年11月25日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】電圧印可によって磁化状態と制御する磁気デバイスとその好ましいデバイス構成例を提供する。【解決手段】ある磁性体の磁化状態の電圧制御を行うために、少なくとも強誘電性とともに、磁気秩序を有する転移層を用い、転移層への電界印可により、転移層の磁性を制御し、且つ転移層と接する磁性体の磁化方向を変化させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの転移層と少なくとも1つの非磁性層と少なくとも2つの磁性体が積層され、前記非磁性層の内少なくとも1つが、2つの磁性体に挟まれ、且つ前記非磁性層を挟む2つの磁性体の磁化相対角の変化により、抵抗が変化する磁気抵抗効果部であり、前記非磁性層を挟む磁性体の内、少なくとも1つが自由磁性体であり、前記自由磁性体が前記転移層と磁気的に結合し、前記転移層が、少なくとも強誘電性とともに、強磁性を有することで、前記転移層への電界印可により前記転移層の磁性が変化し、結合している前記自由磁性体の磁化状態を変化させることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (5件)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

FI (7件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 120 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

Fターム (18件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AB04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049GC04 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5F083ZA28