特許

J-GLOBAL ID：200903009281071044

高周波電力用スイッチ装置およびその製造方法

発明者： 太田 順道 ,  藤本 裕雅 ,  藤本 和久 ,  山本 真司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138537
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008273
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 通過する最大電力が大きくて高性能な高周波電力用スイッチ装置をスルートランジスタ及びシャントトランジスタのチャネル領域への1回のイオン注入により得られるようにする。【構成】 基板面方位が(100)面であるGaAsよりなる半導体基板40の上に、デプレッション型の電界効果型トランジスタよりなるスルートランジスタA及びシャントトランジスタBが形成されている。スルートランジスタAはそのゲート方位が半導体基板40の[0-1-1]方位と一致するように形成されており、シャントトランジスタBはそのゲート方位が半導体基板40の[0-11]方位と一致するように形成されている。

請求項（抜粋）：

結晶方位により電界効果型トランジスタのしきい値電圧が変化する半導体基板と、該半導体基板上に形成され、ソース端子及びドレイン端子のうちの一方が第1の高周波端子に接続されていると共に他方が第2の高周波端子に接続されており、ゲート端子に負のしきい値電圧よりも正側の電圧が印加されるとオン状態になる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よりも負側の電圧が印加されるとオフ状態になり、ゲート端子に接続されたゲート電極直下の空乏層よりも十分に深い領域にチャネル領域が形成されているデプレッション型の電界効果型トランジスタよりなるスルートランジスタと、前記半導体基板上に形成され、ドレイン端子が前記第1の高周波端子に接続されていると共にソース端子が接地端子に接続されており、ゲート端子に負のしきい値電圧よりも正側の電圧が印加されるとオン状態になる一方ゲート端子に負のしきい値電圧よりも負側の電圧が印加されるとオフ状態になり、ゲート端子に接続されたゲート電極直下の空乏層よりも十分に深い領域にチャネル領域が形成されているデプレッション型の電界効果型トランジスタよりなるシャントトランジスタとを備え、前記スルートランジスタは、そのゲート方位が前記半導体基板における電界効果型トランジスタのしきい値電圧が深くなる第1の方位と一致するように形成されており、前記シャントトランジスタは、そのゲート方位が前記半導体基板における電界効果型トランジスタのしきい値電圧が浅くなる第2の方位と一致するように形成されていることを特徴とする高周波電力用スイッチ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095

FI (2件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 29/80 E