特許
J-GLOBAL ID：200903009283089129
FETのゲート駆動回路
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090530
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283707
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】ゲート入力容量の大きなFETを用いたスイッチング回路を,高速度に駆動する。【構成】高周波源21から, 絶縁変圧器19とダイオード17とを介してコンデンサ13に直流電圧を充電しておく。駆動信号源1が正の電圧を発生しているときは,駆動用変圧器3とダイオード5,7 を介してFET29をオン駆動させる。このときはトランジスタ11はオフしている。駆動信号源1の極性が負になると,FET29のゲート・ソース間に充電された電圧とコンデンサ13の充電電圧との和はトランジスタ11をオンさせ,急速にゲート電圧ゼロを通過して逆バイアス状態とする。この逆バイアス電圧の値はツェナーダイオード15によって適正値に制限される。
請求項（抜粋）：
正負両極性の電圧を発生する駆動信号源を受けてFETのゲート・ソース間を駆動する回路であって,前記駆動信号源とこのゲート・ソース間を結ぶ線路には順次に;この線路の少なくとも一方に直列に接続されたダイオードと,この線路の逆方向極性電圧を短絡するトランジスタ回路と,この線路に直列接続されたコンデンサであって前記FETのゲート・ソース間等価静電容量の値より充分大きい静電容量を有するコンデンサと,このコンデンサを充電する充電回路とからなる逆バイアス電圧源とを接続してなるFETのゲート駆動回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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