特許
J-GLOBAL ID：200903009287377773
磁気ヘッド及び磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-156784
公開番号（公開出願番号）：特開2001-344712
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 MI素子に高周波キャリア信号電流等を流すことによるギャップからの洩磁界を抑止し、また磁気回路と高周波電流との差交数を増加させて出力を向上させた磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 第1の軟磁性体膜7を絶縁体膜を介して両側から挟み込むように、1対の導電性金属薄膜5、9を形成する。その両側に絶縁体膜を介して1対のシールド用磁性体1、2を配置する。導電性金属薄膜のトラック幅方向における一方の側の第1の電極対を接続し、他方の側の第2の電極対を介して高周波キャリア信号電流を印加する。更に、第1の軟磁性体膜に直流バイアス磁界を印加する手段と、第2の電極対から検出される信号を再生する高周波増幅器とを備える。外部磁界に基づく1対の導電性金属薄膜におけるインダクタンスの変化を、高周波キャリア信号の変化として再生する。
請求項（抜粋）：
第1の軟磁性体膜と、前記第1の軟磁性体膜を無機質の絶縁体膜を介して両側から挟み込むように形成した1対の導電性金属薄膜と、さらにその両側に無機質の絶縁体膜を介して配置した1対のシールド用磁性体と、前記1対の導電性金属薄膜のトラック幅方向における一方の側の第1の電極対を接続する手段と、他方の側の第2の電極対を介して前記1対の導電性金属薄膜に高周波キャリア信号電流を印加する手段と、前記第1の軟磁性体膜に直流バイアス磁界を印加する手段と、前記第2の電極対から検出されるAM変調された信号を再生する高周波増幅器とを備え、外部磁界に基づく前記1対の導電性金属薄膜におけるインダクタンスの変化を高周波キャリア信号の変化として再生することを特徴とする磁気ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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