特許
J-GLOBAL ID：200903009288369022
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033716
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232599
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】トレンチ内壁のダメージの発生によるリーク電流を解消し、かつ多くの動作領域が確保できるトレンチ型のSBDを構成する。【解決手段】N+ 型のシリコン基板11上にN- 型のエピタキシャル層12が形成されている。エピタキシャル層12の所定領域には高濃度のP+ 型のベース拡散層2が形成されている。ベース拡散層2 の表面からエピタキシャル層12に貫通するトレンチ3 が形成されている。トレンチ3 内にはN- の選択エピタキシャル層4 が形成されている。選択エピタキシャル層4 を含むベース拡散層2 及びエピタキシャル層12表面にショットキメタル5 が形成されている。ショットキメタル5 と接触する、2つのトレンチ3 に充填された各々の選択エピタキシャル層4 の表面領域6 がダイオード動作領域となる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体と、前記半導体基体に形成された第2導電型の半導体領域と、前記半導体領域表面から前記半導体基体に貫通する溝と、前記溝内を充填する第1導電型のエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層表面に接触する金属電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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