半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-360317
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173202
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】 SJ構造を備えている半導体装置において、周辺領域の耐圧をセル領域の耐圧より高く形成する。【解決手段】周辺領域の半導体下層23は、セル領域の組合せを構成するn型コラム27よりn型不純物を低濃度に含んで形成されており、その周辺半導体層23の表面にp型不純物を含むリサーフ層52が形成されており、そのリサーフ層52の表面にフィールド酸化層54が形成されており、そのフィールド酸化層54の表面にフィールドプレート42aが形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

縦型半導体スイッチングセル群が形成されているセル領域とそのセル領域の周辺に位置している周辺領域を備えている半導体装置であって、セル領域から周辺領域まで連続して形成されている半導体層と、周辺領域の半導体層の表面を被覆している絶縁層と、その絶縁層の少なくともセル領域側の表面を被覆している導体層を備えており、セル領域の半導体層の下部領域には、層厚方向に伸びるとともに第1導電型不純物を含む第1部分領域と層厚方向に伸びるとともに第2導電型不純物を含む第2部分領域の組合せが前記層厚方向に対して直交する面内で繰返されているスーパージャンクション構造が形成されており、周辺領域の半導体層には、第2導電型不純物を含む半導体上層と第1部分領域より低濃度の第1導電型不純物を含む半導体下層が形成されており、前記導体層は、縦型半導体スイッチングセル群の表面側の主電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652N , H01L29/78 652H , H01L29/78 652P , H01L29/78 653C , H01L29/06 301D , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-074633 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-161594 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (5件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-039662 出願人：富士電機株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-161594 出願人：株式会社デンソー
半導体装置およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-030800 出願人：株式会社日立製作所

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