特許

J-GLOBAL ID：200903009302284752

Co合金系ターゲット、その製造方法、スパッタリング装置、磁気記録膜および磁気記録装置

発明者： 村田 英夫 ,  高島 洋
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-204670
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038661
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、組成分布が均一でかつ高い膜特性が安定して得られるCo系ターゲット、その製造方法、スパッタリング装置、磁気記録膜および磁気記録装置を提供する。【解決手段】 本発明はCoを主体とし溶解材として飽和磁束密度が0.1T未満となるCo合金において、飽和磁束密度を0.1T以上に調整したCo合金系ターゲットであり、好ましくはNi、Ptの中から選ばれた1種以上を3〜30at%、さらに好ましくは非磁性金属としては、Crを18at%以上をTa、Zr、Ti、Nbの中から、選ばれる1種以上を2at%以上含有させる。このターゲットは、非磁性粉末または非磁性合金粉末と磁性体粉末を混合し、焼結により飽和磁束密度を0.1T以上となるように調整することにより得られる。ターゲットを漏洩磁束を形成したマグネトロンスパッタリング装置を用いてスパッタリングすることにより保磁力160kA/m以上、残留磁束密度膜厚積130Gμm以下の特性を有するCo系磁気記録膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Coを主体とし溶解材として飽和磁束密度が0.1T未満となるCo合金において、飽和磁束密度を0.1T以上に調整したことを特徴とするCo合金系ターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  B22F 3/00 ,  C22C 19/07 ,  G11B 5/66 ,  H01F 41/18

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 19/07 M ,  G11B 5/66 ,  H01F 41/18 ,  B22F 3/00 Z

Fターム (29件)：

4K018AA02 ,  4K018AA08 ,  4K018AA10 ,  4K018AA40 ,  4K018BB06 ,  4K018BC12 ,  4K018DA32 ,  4K018EA16 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K018KA42 ,  4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA24 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  4K029DC39 ,  4K029FA07 ,  5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049BA06 ,  5E049GC02