特許

J-GLOBAL ID：200903009304751595

薄膜形成方法

発明者： 福田 加一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076737
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283147
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタなどの薄膜を効率よく成膜することを目的とする。【構成】 プラズマエッチングによりクリーニング可能な複数の反応室13〜16を備える枚葉式プラズマ成膜装置を用い、複数の反応室においてそれぞれ一定数の基板上に成膜をおこなったのちに周期的に反応室のクリーニングをおこない、複数の反応室を使用して同一基板上に異なる種類の膜を積層形成する薄膜形成方法において、反応室のクリーニングの周期を規定する成膜基板の枚数を成膜する薄膜の種類により異ならしめた。【効果】 装置全体の積層形成のスループットを向上させることができる。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチングによりクリーニング可能な複数の反応室を備える枚葉式プラズマ成膜装置を用い、上記複数の反応室においてそれぞれ一定数の基板上に成膜をおこなったのちに周期的に反応室のクリーニングをおこない、上記複数の反応室を使用して同一基板上に異なる種類の薄膜を積層形成する薄膜形成方法において、上記反応室のクリーニングの周期を規定する成膜基板の枚数を成膜する薄膜の種類により異ならしめたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/31 D ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-285177
  
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087877   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-294018
  
• 特開昭63-157870