特許

J-GLOBAL ID：200903009308979108

半導体装置およびその製造方法

発明者： 野口 裕泰
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345540
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162498
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 p型II-VI族化合物半導体導電層上にこれとほぼ格子整合した良質でかつ電気的特性が良好なp型III-V族化合物半導体電極層またはp型IV族半導体電極層が設けられた半導体装置を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシー法によりn型GaAs基板1上にクラッド層、光導波層、活性層などを構成する複数のII-VI族化合物半導体層を順次積層した後、最上層のp型ZnSe層9上にこれとほぼ格子整合するIII-V族化合物半導体またはIV族半導体からなるp型電極層10を積層し、このp型電極層10上にp側電極11を形成するとともに、n型GaAs基板1の裏面にn側電極12を形成して半導体発光素子を製造する。p型電極層10は、基板温度200°Cないし450°Cにおいて、原子状または活性水素を照射しつつ、p型ZnSe層9上に成長させる。

請求項（抜粋）：

Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のVI族元素とからなるp型II-VI族化合物半導体導電層と、上記p型II-VI族化合物半導体導電層上のGa、AlおよびInからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のIII族元素とP、AsおよびSbからなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のV族元素とからなるp型III-V族化合物半導体電極層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 29/46 B