特許

J-GLOBAL ID：200903009310243135

超電導体の製造方法

発明者： 尾鍋 和憲 ,  定方 伸行 ,  斉藤 隆 ,  河野 宰
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335720
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148623
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明は長尺の基材上に均質な中間層と超電導薄膜を形成する方法に関する。【構成】 本発明は、チャンバの内部に中間層形成用と超電導薄膜形成用のそれぞれのターゲットを複数備えたターゲット設置円盤を設け、まず、中間層形成用の複数のターゲットに順次レーザビームを照射して基台に連続供給されている基材上に中間層を形成し、次いで超電導薄膜形成用のターゲットに順次レーザビームを照射して中間層上に超電導薄膜を形成する。【効果】 ターゲットを交換しつつ基材上に順次成膜してゆくので、成膜初期と成膜終了時のいずれの時期においても安定した組成の物質を発生させてそれを基材上に堆積させることができ、組成均質な中間層と超電導薄膜を基材上に堆積することができる。これにより超電導特性の優れた超電導体が得られる。

請求項（抜粋）：

ターゲットと基材と基台を収容したチャンバと、前記ターゲットにレーザビームを照射するレーザビームの発振装置と、この発振装置から発射されたレーザビームがターゲット表面上に照射される位置に、該ターゲットを設置するターゲット設置手段を備え、前記ターゲット設置手段が、円盤状で、その一方の面上にその円周方向に沿って複数枚の円盤状ターゲットが並べられてなるターゲット設置円盤と、該ターゲット設置円盤を回転させる回転手段とからなるレーザ蒸着装置を使用し、前記基台に長尺の基材を連続的に供給して基材上に中間層と超電導薄膜とが積層された超電導体を製造する方法であって、前記ターゲット設置円盤に、中間層形成用の第1ターゲットと超電導薄膜形成用の第2ターゲットをそれぞれ複数設け、最初にレーザビームを第1ターゲットの1つに所定時間照射し、その後に設置円盤を回転させて他の第1ターゲットにレーザを照射して中間層を形成する処理を必要回数行なって基材上に中間層を形成した後、前記設置円盤を回転させてレーザビームを第2ターゲットの1つに所定時間照射し、その後に設置円盤を回転させて他の第2ターゲットにレーザビームを照射する処理を複数回行なって中間層上に超電導薄膜を形成することを特徴とする超電導体の製造方法。