特許

J-GLOBAL ID：200903009311897775

半導体基板表面研磨方法およびその装置

発明者： 山田 渉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083818
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283944
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の表面に形成された酸化膜を研磨する際に、研磨加工の途中で、その半導体基板のなかで実際にICチップとして用いる個所の所定位置の膜厚を測定する方法および装置を提供する。【解決手段】 半導体基板3の表面に設けられた膜の膜厚の光学的な測定を、研磨装置の研磨台1に設けられた測定窓2を介して膜の表面に光を照射し、ICチップとして用いられる個所からの反射干渉光を用いて行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板を支持台で支持し、その支持された半導体基板の表面に形成された膜を前記支持台と対峙して設けられた研磨台との間で相対運動しながら研磨材によって研磨加工する際に、その研磨加工中に前記膜の膜厚を光学的に測定する半導体基板表面研磨方法において、前記膜厚の光学的な測定は、前記研磨台に設けられた測定窓を介して前記膜の表面に光を照射し、素子として用いられる個所からの反射干渉光を用いて行うことを特徴とする半導体基板表面研磨方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  G01B 11/00 ,  G01B 11/06 ,  G01B 11/24 ,  G01B 21/00 ,  H01L 21/66

FI (8件)：

H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 621 D ,  G01B 11/00 A ,  G01B 11/06 G ,  G01B 11/06 Z ,  G01B 11/24 F ,  G01B 21/00 A ,  H01L 21/66 Q