特許
J-GLOBAL ID：200903009311977078
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315127
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038092
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 Si基板10上に酸化膜12を介してポリSi電極13を形成する工程と該ポリSi電極13端部下方の酸化膜12を等方的にエッチングする工程と熱酸化処理を施してポリSi電極13及び酸化膜12を覆う酸化膜14を形成し、ポリSi電極13の端部下部近傍の酸化膜14にくびれ部20を形成する工程とポリSi15aを全面に堆積させ、この後異方性エッチングを行なってくびれ部20にポリSi15bを埋め込む工程と熱酸化処理を施し、ポリSi電極13側壁に前記Si基板10側に近づくにしたがって厚くなった酸化膜16を形成する工程とソース領域・ドレイン領域を形成するためにSi基板10に不純物注入を行なう工程とを含む半導体装置の製造方法。【効果】 ポリSi15aエッチング時のオーバエッチング防止によりSi基板10に損傷を与えることがなくなり、リーク電流の発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
a)Si基板上に酸化膜を介してポリSi電極を形成する工程b)該ポリSi電極端部下方の前記酸化膜を等方的にエッチングする工程c)熱酸化処理を施して前記ポリSi電極及び前記酸化膜を覆う酸化膜を形成し、前記ポリSi電極の端部下部近傍の前記酸化膜にくびれ部を形成する工程d)ポリSiを全面に堆積させ、この後異方性エッチングを行なって前記くびれ部にポリSiを埋め込む工程e)熱酸化処理を施し、前記ポリSi電極側壁に前記Si基板側に近づくにしたがって厚くなった酸化膜を形成する工程f)不純物拡散領域を形成するために前記Si基板に不純物注入を行なう工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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