特許
J-GLOBAL ID:200903009312277002

保護層の選択的なエッチング技術

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 飯塚 義仁
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-563879
公開番号(公開出願番号):特表2006-511914
出願日: 2003年12月19日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
陰極処理の前、若しくは陰極処理中に、不利な環境条件から触媒層を保護するために触媒層上に形成された保護材料を有する電子放射装置。本発明は、更に、触媒層から保護層の一部を除去し、カーボン・ナノチューブの成長部分以外の触媒層をエッチングするように構成されるハーフ・エッチング方法を含む。保護層の一部は触媒層に残し、次の陰極形成工程より、触媒層を悪条件から保護する。
請求項(抜粋):
フラット・パネル・ディスプレイ装置のカーボン・ナノチューブを形成する方法であって、 電極エミッタと、 レジスタ層と、 バリア層と、 触媒層と、 誘電層と、 ゲート層と、 前記ゲート層上に配置された触媒層と、 ゲート孔と で構成される基板上に陰極構造を形成する工程と、 前記ゲート層上であり且つ前記ゲート孔内の前記触媒層の上に保護材料をデポジットする工程と、 部分的なエッチング工程中に、前記保護材料を部分的に除去して前記ゲート層上にデポジットされた前記触媒層を除去する工程と を具備する方法。
IPC (1件):
H01J 9/02
FI (1件):
H01J9/02 B
Fターム (14件):
5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD02 ,  5C127DD09 ,  5C127DD39 ,  5C127DD40 ,  5C127DD43 ,  5C127DD53 ,  5C127DD57 ,  5C127DD72 ,  5C127EE17

前のページに戻る