特許
J-GLOBAL ID：200903009315154378
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072266
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234837
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 工程数を少なく、かつ材料の歩留りを向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体素子11a、11bをリードフレーム2上に搭載すると同時に、その搭載位置と品種a、bとが対応した個別情報を作成するダイボンディング工程と、次にこの個別情報から読み出した品種a、bに応じて半導体素子11a、11bとリードフレーム2とを配線するワイヤーボンディング工程と、樹脂封止工程の後、この個別情報に基づいて、品種a、bごとのトレイ5a、5bに半導体装置12a、12bをそれぞれ分別して収納する収納工程とを行う。
請求項（抜粋）：
多品種の半導体素子が形成されたウエハを個々の前記半導体素子に分割するダイシング工程と前記半導体素子をリードフレーム上に搭載するダイボンディング工程と、前記半導体素子と前記リードフレームとをボンディングワイヤーにて配線するワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子と前記リードフレームと前記ボンディングワイヤーとをモールド樹脂にて一体封止する樹脂封止工程と、前記モールド樹脂にて一体封止された前記半導体素子を前記リードフレームから切り離して個々の半導体装置を形成し、トレイに収納する収納工程とから成る半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を前記リードフレーム上に搭載すると同時に、前記リードフレーム上の前記半導体素子の搭載位置と前記半導体素子の品種とが対応した個別情報を作成する前記ダイボンディング工程と、次いで、前記個別情報から読み出した前記品種に応じて前記半導体素子と前記リードフレームとを配線する前記ワイヤーボンディング工程と、前記樹脂封止工程の後、前記個別情報から読み出した前記品種に基づいて、前記半導体装置を前記品種ごとの前記トレイに分別して収納する前記収納工程とから成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/02
, H01L 21/50
, H01L 21/52
, H01L 21/60 301
, H01L 23/50
