特許

J-GLOBAL ID：200903009316788931

半導体装置およびその製造方法

発明者： 広田 匡紀 ,  加藤 典司 ,  宮本 育昌
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097431
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 第1の目的は、多結晶シリコン膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて水素プラズマ処理の効率化をはかることにある。第2の目的は、高耐圧で信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することにある。【構成】 本発明の半導体装置は多結晶シリコン薄膜を活性層12として用い、活性層12上にゲート絶縁膜13を介してゲート電極14を形成した薄膜トランジスタにおいて、スリット状に除去された領域をもつ島状の多結晶シリコン薄膜が水素拡散係数の大きいシリコン酸化膜11内に埋め込まれるように形成される。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン薄膜を活性層として用い、活性層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した薄膜トランジスタにおいて、スリット状に除去された領域をもつ島状の多結晶シリコン薄膜が水素拡散係数の大きいシリコン酸化膜内に埋め込まれるように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 627 E ,  H01L 29/78 618 E