特許

J-GLOBAL ID：200903009321514700

半導体装置の製造方法

発明者： 綾部 省三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146941
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340588
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】スピンコート法によりウェーハ上に樹脂層を均一な膜厚でコーティングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェーハ10上にスピンコート法により樹脂層17を形成する方法であって、ウェーハ10を加温し、ウェーハ上に液状樹脂17aを滴下する。次に、ウェーハ10を回転させることで遠心力により液状樹脂17aをウェーハ10の外周部側へ塗り広げ、ウェーハ10上で均一な膜厚の樹脂層17とする。

請求項（抜粋）：

ウェーハ上にスピンコート法により樹脂層を形成する方法であって、ウェーハを加温する工程と、前記ウェーハ上に液状樹脂を滴下する工程と、前記ウェーハを回転させることで遠心力により前記液状樹脂を前記ウェーハの外周部側へ塗り広げ、前記ウェーハ上で均一な膜厚の樹脂層とする工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 L

Fターム (5件)：

5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061DA16 ,  5F061DE06