特許
J-GLOBAL ID：200903009323850928
貼り合わせSOIウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-373792
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176155
出願日： 2000年12月08日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 トップシリコン層の形成用ウエハとベースシリコン層用のウエハとの接着精度が高く、しかも鏡面研磨後のトップシリコン層の厚さが0.1乃至0.2μm程度と薄い貼り合わせSOIウエハ基板を提供する。また、ベースシリコン層用ウエハに、強力なゲッター能力が付与され、トップシリコン層(SOI層)が無欠陥の貼り合わせSOIウエハ基板を提供する。【解決手段】 トップシリコン層用ウエハを加熱酸化して表面に酸化膜層を形成させた後、ベースシリコン層用ウエハを前記酸化膜層を介して接着し作製する貼り合わせSOIウエハの製造方法において、前記トップシリコン層用ウエハと前記ベースシリコン層用ウエハとを、予め、水素ガス雰囲気または不活性ガス混合水素ガス雰囲気中で、別々にアニーリング処理し、前記アニーリング処理後、その表面に酸化膜層を形成させたトップシリコン層用ウエハを、アニーリング処理された前記ベースシリコン層用ウエハに接着する。
請求項（抜粋）：
トップシリコン層用ウエハを加熱酸化して表面に酸化膜層を形成させた後、ベースシリコン層用ウエハを前記酸化膜層を介して接着し作製する貼り合わせSOIウエハの製造方法において、前記トップシリコン層用ウエハと前記ベースシリコン層用ウエハとを、予め、水素ガス雰囲気または不活性ガス混合水素ガス雰囲気中で、別々にアニーリング処理し、前記アニーリング処理後、その表面に酸化膜層を形成させたトップシリコン層用ウエハを、アニーリング処理された前記ベースシリコン層用ウエハに接着することを特徴とする貼り合わせSOIウエハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 21/322
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 21/322 Y
