特許
J-GLOBAL ID：200903009325490619
スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-159129
公開番号（公開出願番号）：特開平5-086463
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【構成】 ターゲット11は、柱状の基体12と、基体外周面12aに積層された中間層13,14と、中間層14外周面に積層されたCr,Ti,Zrのうち少なくとも1種を含むSi合金のターゲット層15とから構成。基体はステンレススチール、Cu合金から選択された少なくとも1種、中間層はMo,Ti,W,Niのうち少なくとも1種、中間層の最外層はNiとする。中間層は複数の層、基体は筒状であるとしてもよい。ターゲットの製造方法は、溶射法により基体の外周面に中間層とターゲット層を順次積層する。【効果】 ターゲット層が基体から剥離するのを防止することができ、耐腐食性及び冷却効率を高めることができる。また、ターゲット層の機械加工をする必要がなくなり、該ターゲット層と基体との軸合わせも不要になる。したがって、長尺の円筒状のターゲットを容易に製造することが可能になる。
請求項（抜粋）：
柱状の基体と、当該基体の外周面に形成された中間層と、該中間層の外周面に形成されCr,Ti,Zrから選択された少なくとも1種を含むSi合金を主成分とするターゲット層とからなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件)：
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